大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于单晶硅配套除尘器的问题，于是小编就整理了1个相关介绍单晶硅配套除尘器的解答，让我们一起看看吧。

1. 三氯化氢硅怎么合成的？

1、三氯化氢硅怎么合成的？

3.1 三氯氢硅的性质

三氯氢硅别名为硅氯仿、硅仿、三氯硅烷；英文名：Trichlorosilane、Silicochloroform. 三氯氢硅沸点为31.8℃，熔点为-126.5℃，自燃温度为185℃，在空气密度为1时，蒸汽相对密度为4.7，在空气中爆炸极限为1.2-90.5%(体积分数)。主要用途为单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。主要制备方法：(1)在高温下Si和HCl反应。(2)用氢还原四氯化硅(采用含铝化合物的催化剂)。

三氯氢硅在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成SiO2、HCl和C12：

反应方程式为：

SiHCl3 O2→SiO2 HCl C12;

三氯氢硅的蒸汽能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气，受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好，在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾(HCI)，还生成C12和Si。

三氯氢硅合成系统包括:

1,硅粉加料装置,

2,三氯氢硅合成炉，

3,旋风干法除尘,

4,过滤装置,

5, STC 湿法除尘,

6,合成气分离回收( CDI )等工序。

硅粉加料装置完成向合成炉连续定量地供应硅粉;三氯氢硅合成炉是生产三氯氢硅的关键设备;旋风干法除尘、过滤装置与 STC 湿法除尘是回收硅粉和除去合成气的硅尘, CDI 是将合成气进行分离回收,它们都是不可或缺的设备。

将硅粉加热到300°C以上，通氯化氢气体与硅粉进行 反应，反应压力为常压(或者只有网带、冷凝器的系统阻力)，往往生产的粗品纯度都不是很 高，大约在80%左右。申请号为200910172331. 2，名称为“一种三氯氢硅合成的方法”公开了一种三氯氢 硅合成的方法，将氯化氢汽化后，在低压状态进入到三氯氢硅合成炉中与硅粉料混合；在温 度为300 330°C，压力为0. 1 0. 35MPA进行不间断反应；

把伴随反应生成的含三氯氢硅 与四氯化硅的混合气体进行冷却除尘处理后，经冷冻下来的三氯氢硅液体输送到精馏塔中 进行精馏分离；分离后的三氯氢硅提纯达到含硼小于等于0. 05PPB、磷小于等于0. 1PPB的 三氯氢硅，四氯化硅纯度达到99. 99%以上再进入到淋洗塔中。本方法提高转化效率(达到 85%)、减少氯化氢处理及排放、减少企业成本。

到此，以上就是小编对于单晶硅配套除尘器的问题就介绍到这了，希望介绍关于单晶硅配套除尘器的1点解答对大家有用。